GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料(又称为宽禁带半导体材料)。

GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。目前第三代半导体材料以SiC和GaN为主。相较于SiC，GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN如果配合SiC衬底，器件可同时适用高功率和高频率。

据拓璞产业研究院援引工信部数据，截至2017年12月底，中国4G宏基站数量为328万座。中国5G宏基站数量有望达到500万座，为4G基站数量的1.5倍。宏基站建设将会拉动基站端GaN射频器件的需求量，考虑到5G基站的建设周期，拓璞产业研究院预计到2023年基站端GaN射频器件规模达到顶峰，达到112.6亿元。

GaN作为第三代半导体材料，广泛应用于功率电子器件中，根据材料深一度援引Yole数据，2018年GaN功率器件国际市场规模中，电源设备领域占比55%，其次是激光雷达，占比达到26%，其他下游应用如包络跟踪、无线电源等。目前我们使用的电子及电源设备，如个人电脑适配器、音频/视频接收器和数字电视等，有着占用空间大、不美观、发热导致电量损耗等缺点，而GaN能够减少电源体积，同时提升效率。

根据材料深一度援引Yole数据，2018年GaN功率电子器件国内市场规模约为1.2亿元，尚处于应用产品发展初期，但未来市场空间有望持续拓展，在市场乐观预期下，2023年GaN功率电子市场规模有望达到4.24亿美元。

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发展自主氮化镓射频功放产业，有助于打破国外垄断，实现自主可控。建议关注海特高新、三安光电。 海通证券